Расчет тока насыщения
Министерство образования РФ
Томский университет систем управления радиоэлектроники (ТУСУР)
Кафедра Физической Электроники
Индивидуальное задание № 1
Принял: Троян П.Е.
Выполнил: студент гр.361-4 Юрикова Д.С.
Томск
Задание:
Диод Шотки на основе структуры алюминий-кремний при обратном смещении 8В имеет плотность обратного тока А/см
Концентрация электронов в кремнии при температуре K
Постоянная
)Определить изменение потенциального барьера за счет эффекта Шотки при U=8В.
2)Определить высоту барьера Шотки.
)Определить ток насыщения, если площадь контакта S=
.1) Определим предельное обратное напряжение
2.2)Определим предельное прямое напряжение
Определим сопротивление базы.
Для определения тока насыщения найдем длину диффузионного смещения.
Рассчитаем ток насыщения
,
тогда предельное прямое напряжение будет равно
.1) Построим обратную ветвь вольт - амперной характеристики.
.2) Построим прямую ветвь вольт - амперной характеристики.
ток насыщение барьер диод
Больше работ по теме:
Контрольная работа
Расчет трансформаторной подстанции
Контрольная работа
Расчет трехфазной электрической цепи
Контрольная работа
Расчет усилий в стержнях
Контрольная работа
Расчет электрических сетей
Контрольная работа
Предмет: Физика
Тип работы: Контрольная работа
Новости образования
22 Июля 2016 16:26
Более 70 представителей крупных вузов АСЕАН подтвердили участие в форуме во Владивостоке
22 Июля 2016 12:51
Абызов: публикация первичных статсведений снизит бюрократическую нагрузку на школы
22 Июля 2016 11:53
В Чечне свыше 200 школьников сдали ЕГЭ с результатом свыше 90 баллов - министр
22 Июля 2016 05:36
Замглавы Минобрнауки РФ: задача сократить число людей с высшим образованием не стоит
21 Июля 2016 20:19
КОНТАКТНЫЙ EMAIL: [email protected]
Скачать реферат © 2017 | Пользовательское соглашение
ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПОМОЩЬ СТУДЕНТАМ