Квантовые точки3
Квантование энергии и дискретные энерго уровни4
Способы сотворения полупроводниковых квантовых точек5
Слияние света полупроводниковыми квантовыми точками6
Диапазоны поглощения полупроводниковых квантовых точек7
Экспериментальная установка12
Заключение13
Перечень использованной литературы14
Выдержка
Энтузиазм к наноструктурам обяснен принципиальным различием их параметров от параметров большого полупроводника. Этак как в наноструктурах держится маленькое численность вещества, то оно располагаться в особенном состоянии. К примеру, квантовая крапинка кремния поперечником 1нм охватывает только возле 800 атомов, треть из которых располагаться на её поверхности. Еще большущий вклад в характеристики полупроводниковых наноструктур вносит разрывный комплект энергетических уровней, при этом для квантовых точек отдаление меж данными уровнями зависит конкретно от радиусов точек.
Целью измерения спектров поглощения полупроводниковых квантовых точек, осматриваемых в предоставленной рабте, является определение структуры энергетических уровней точек и, как последствие, определение их радиусов.
Литература
1 В. Я. Демиховский. Квантовые ямы, нити, точки. Что это такое?Соросовский просветительный журнальчик, том 3, № 5, 1997 год.
2 В. А. Кульбачинский. Полупроводниковые квантовые точки. Соросовский просветительный журнальчик, том 7, № 4, 2001 год.
3 Ал. Л. Эфрос, Ф. Л, Эфрос. Межзонное слияние света в полупроводниковом шаре. Физика и техника полупроводников, том 16, № 7, 1982 год.
4 Екимов А. Л. и остальные. Слияние и подневольность интенсивности измеренной фотолюминесценции для CdSe квантовой точки: смысл главного электрического перехода. Журнальчик оптических наук, том 10, № 1, 1993 год.
Интерес к наноструктурам обусловлен принципиальным отличием их свойств от свойств объемного полупроводника. Так как в наноструктурах содержится малое количество