Методика на кремниевом биполярном транзисторе KT608Б
Содержание
1. Поручение на курсовой проект. 2
2. Исходные данные. 4
3. Исполнение поручения. 5
3. 1. Расчёт резисторов , , и 5
3. 2. Моделирование работы схемы на неизменном токе 6
3. 3. Исследование воздействия конфигурации характеристик транзистора на работу усилителя 10
3. 4. Анализ итогов моделирования работы схемы на неизменном токе 12
3. 5. Определение малосигнальных характеристик схемы 13
3. 6. Расчёт емкостей конденсаторов и верхней граничной частоты усиления 15
3. 7. Моделирование работы схемы на переменном токе 18
3. 8. Исследование реакции усилителя на пульсирующий сигнал 23
3. 8. 1. Исследование реакции усилителя на пульсирующий знак маленькой величины 23
3. 8. 2. Исследование реакции усилителя на пульсирующий знак большущий величины 27
3. 9. Изучение семейства выходных характеристик 29
3. 10. Анализ итогов моделирования работы схемы на переменном токе 32
4. Перечень литературы 34
5. Прибавление: Перечень характеристик транзистора, используемых в Electronics Workbench 35
Выдержка
1. Поручение на курсовой проект.
1. Уволить характеристики резисторов , , и , исходя из данного расположения рабочей точки в классе А()и её непостоянности()при напряжении родника кормления схемы(), типе транзистора(VT1), для схемы, изображенной на рис. 1.
2. Применяя всякую из программ разбора электрических схем, промоделировать работу схемы на неизменном токе. Разглядеть узловые потенциалы в схеме. Выстроить передаточную характеристику схемы на участке база-коллектор транзистора и нанести на нее рабочую точку. Означить на характеристике области работы транзистора.
3. Поменять коэффициент усиления сообразно току транзистора()в 2 раза и найти, на насколько поменяется ток коллектора. Сделать то же, изменив неконтролируемый ток коллекторного перехода в 10 раз.
4. Отдать мнение о ступени соответствия прогноза, изготовленного на основании аналитических расчетов, и итогов моделирования сообразно работе схемы на неизменном токе.
Литература
1) Степаненко И. П. Базы микроэлектроники. М. : Лаборатория базисных познаний, 2001, 488 с.
2) Опадчий Ю. Ф. , Глудкин О. П. , Гуров А. И. Аналоговая и цифровая электроника. М. : “Жгучая Линия - Телеком”, 2002, 768 с.
3) Павлов В. Н. , Ногин В. Н. Схемотехника аналоговых электрических устройств. М. : “Жгучая Линия - Телеком”, 2001, 320 с.
4) Бессонов Л. А. Абстрактные базы электротехники. Электрические цепи. М. : Гардарики, 2002, 637 с.
5) Методические указания сообразно исполнению курсовой работы сообразно дисциплине “Электроника”. Иванов С. Р. Столица 2010 г.
6) Конспект лекций Иванова С. Р. сообразно дисциплине “Электроника”(3, 4 семестр 2009-2010).
7) Горюнов Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник.
Издательство: Столица. : Энергоатомиздат, 1985 г.
1. Задание на курсовой проект.
1. Рассчитать параметры резисторов , , и , исходя из заданного положения рабочей точки в классе А ( ) и ее нестабильности (