Классифицирование обычных полупроводниковых материалов и их использование в БЭА

Содержание

Введение………………………………………………………………. .
ГЛАВА 2. ПОНЯТИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
1. 1. Полупроводниковые материалы ……………………………. .
1. 2. Виды проводимости ……………………………………………
1. 3. Группы полупроводниковых материалов ……………………
1. 4. Биполярные приборы ………………………………………….
ГЛАВА 2. ГРУППЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
2. 1. Классифицирование полупроводниковых материалов ……………
2. 2. Носители заряда в полупроводниках ………………………….
Мнение ……………………………………………………………
Перечень использованной литературы ……………………………….

Выдержка

Введение



Техника полупроводниковых устройств стала самостоятельной областью электроники. Подмена электрических ламп полупроводниковыми устройствами удачно осуществлена во почти всех радиотехнических устройствах.

На всем протяжении развития радиотехники обширно приноравливались кристаллические сенсоры, представляющие собой полупроводниковые выпрямители для токов высочайшей частоты. Для выпрямления неизменного тока электрической козни употребляют купроксные и селеновые полупроводниковые выпрямители. Но они негодны для больших частот.

Еще в 1922 г. работник Нижегородской радио лаборатории О. В. Лосев получил генерирование электрических колебаний с поддержкой кристиллического сенсора и сконструировал приёмник “Кристадин”, в котором за счет генерации личных колебаний выходило укрепление принимаемых сигналов. Он имел существенно огромную аффектация, ежели обыденные приемники с кристаллическими сенсорами. Открытие

Лосева, к огорчению, не получило подабающего развития в следующие годы. Полупроводниковые триоды, получившие наименования транзисторов, предложили в 1948 г. южноамериканские эксперты Бардин, Браттейн и Шокли.

Сообразно сопоставлению с электронными лампами у полупроводниковых устройств имеются значительные плюсы:

1. Миниатюрный авторитет и небольшие габариты.

2. Неимение издержки энергии на накал.

3. Большущий срок службы(по 10-ов тыщ часов).

4. Крупная механическая крепкость(неколебимость к тряске, ударам и иным обликам механических перегрузок).

5. Разные устройства(выпрямители, усилители, генераторы)с полупроводниковыми устройствами имеют высочайший КПД, этак как утраты энергии в самих устройствах незначительны.

6. Маломощные устройства с транзисторами имеют все шансы действовать при чрезвычайно низких питающих напряжениях.

Совместно с тем полупроводниковые приборы в настоящее время владеют последующими недочетами:

1. Характеристики и свойства отдельных экземпляров устройств предоставленного типа имеют значимый разброс.

2. Характеристики устройств шибко зависят от температуры.

3. Служба полупроводниковых устройств грубо усугубляется под действием радиоактивного излучения. и т. д.

Транзисторы имеют все шансы действовать практически во всех устройствах, в которых используются вакуумные лампы. В настоящее время транзисторы удачно используются в усилителях, приёмниках, передатчиках, генераторах, измерительных устройствах, импульсных схемах и во почти всех остальных устройствах.



ГЛАВА 1. ПОНЯТИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

1. 1. Полупроводниковые материалы



Полупроводниковые материалы, вещества с верно выраженными качествами полупроводников в широком перерыве температур, подключая комнатную(~ 300 К), являющиеся основой для сотворения полупроводниковых устройств. Удельная электрическая проводимость а при 300 К сочиняет 104 ~ 1010 Ом-1•см-1 и возрастает с ростом температуры. Для полупроводниковых материалов свойственна высочайшая аффектация электрофизических параметров к наружным действиям(нагрев, облучение, деформации и т. п. ), а еще к содержанию структурных недостатков и примесей.

Полупроводниковые материалы сообразно структуре разделяются на кристаллические, твердые аморфные и водянистые. Величайшее практическое использование обретают неорганические кристаллические полупроводниковые материалы, какие сообразно хим составу делятся на последующие главные группы. Простые полупроводники: Ge, Si, углерод(алмаз и пирографит), В, a-Sn(сероватое олово), Те, Se. Важные представители данной группы - Ge и Si имеют кристаллическую сетку типа бриллианта(алмазоподобны). Являются непрямозонными полупроводниками; образуют меж собой постоянный разряд жестких растворов, еще владеющих полупроводниковыми качествами.

Литература

1. Физико-химия полупроводникового материаловедения. - Воронеж: Изд-во Воронеж. ун-та, 1979.
2. Акимов О. Е. Зонные структуры полупроводниковых материалов. - Владивосток: Изд-во Дальневост. ун-та, 1994.
3. Характеристики легированных полупроводниковых материалов. - М. : Дисциплина, 1990.
4. И. П. Коней “Базы электроники”
5. Ю. С. Забродин “Промышленная электроника”
6. И. М. Викулин “Физика полупроводниковых приборов”

Больше работ по теме: