1) Конструкция и сечение тестового фрагмента ИМС 4
МДП - конденсаторы. .
3)Топологию тестового фрагмента ИМС 6
5 Список слоёв ИМС 15
Монтировочный топологический чертеж 15
Послойные топологические чертежи 15
6 Вывод 27
7 Беллетристика. 28
Выдержка
1 Введение
Интегральная электроника на нынешний день является одной из более бурно развивающихся отраслей современной индустрии. Одной из составных долей предоставленной науки является схемотехническая микроэлектроника. На каждом новеньком шаге развития технологии изготовления интегральных микросхем(ИМС)формируются принципиально новейшие способы производства структур ИМС, отражающие крайние заслуги науки.
В настоящее время величайшее интерес в микроэлектронике уделяется творению СБИС – сверхбольших интегральных схем – интегральных структур с чрезвычайно большущий ступенью интеграции частей, что дозволяет не лишь существенно убавить площадь подложки ИМС, а следственно, габаритные габариты и употребляемую емкость, однако еще и существенно увеличить список функций, какие предоставленная СБИС способна делать. В частности, внедрение СБИС в вычислительной технике позволило творение высокопроизводительных микропроцессоров электронно-вычислительных машин, а еще встраиваемых однокристальных микроконтроллеров, соединяющих на одном кристалле некоторое количество взаимосвязанных узлов вычислительного комплекса.
Переход к применению СБИС связан со значимым увеличением числа частей ИМС на одной подложке, а еще с значимым убавлением геометрических размеров частей ИМС. В настоящее время разработка дозволяет изготовка отдельных частей ИМС с геометрическими размерами распорядка 0,15-0,18 мкм.
Скорое формирование мироэлектроники как одной из самых широких областей индустрии обусловлено последующими причинами:
• Незыблемость - комплексное качество, которое в зависимости от на¬значения изделия и критерий его эксплуатации может подключать безотказность, живучесть, ремонтопригодность и сохранность в отдельности либо определенное хитросплетение данных параметров как изделий в целом этак и его долей. Незыблемость работы ИМС обусловлена монолитностью их структуры, а еще защищенностью интегральных структур от наружных действий с поддержкой герметичных корпусов, в которых, как верховодило, выпускаются серийные ИМС.
• 2)Понижение габаритов и массы. Существенное убавление массы и размеров конкретных радиоэлектронных устройств без утраты свойства работы еще является одним из решающих причин при выборе ИМС при разработке разных устройств и узлов радиоэлектронной аппаратуры.
В согласовании с вариантом собственного поручения создать:
1)Конструкция и сечение тестового фрагмента ИМС
2)Топологию интегрального вещества Смоп
3)Топологию тестового фрагмента ИМС
Поручение вариант: 7
№ варианта Сечение элемента Номинал резисторов R1 и R3, Ом Номинал резистора R2, кОм Номинал конденсатора С1, пФ Тип транзисторов в схеме
10 КП 700 0,8 9,0 TN50
?
Литература
7 Беллетристика.
1 Маслов А. А. , Разработка и конструкции полупроводниковых устройств, М. :Энергия, 1970. 296 с. : ил.
2 Курносов А. И. , Юдин В. В. , Разработка изготовления полупроводниковых
приборов и интегральных микросхем. 5-е изд. , перераб. и доп. М. :Дисциплина, - 1986.
3 Разработка СБИС: в 2-х книжках, пер с англ. , под ред. Зи С. - М. : Мир,
1986. 404 с. : ил.
4 Болтакс Б. И. Диффузия и точечные деффекты в полупроводниках. Л. :
Дисциплина, 1972. 384 с. : ил.
5 Готра З. Ю Разработка микроэлектронных устройств: Справочник. М. :
Радио и ассоциация, 1991. 528 с. : ил.
6 Булкин А. Р. , Якивчик П. Н. Разработка изготовления полупроводниковых
приборов. М. : Мир, 1986. 320 с. : ил.
7 Готра З. Ю Разработка микроэлектронных устройств: Справочник. Львов:Каменяр, 1986. 287 с. : ил.
8 Малышева И. А. Разработка изготовления интегральных микросхем: Учебникдля техникумов. 2-е изд. , перераб. и доп. М. : Радио и ассоциация, 1991. 344 с. : ил.
9 Коледов Л. А. Проектирование и разработка микросхем. Курсовое
проектирование: Учеб. вспомоществование для вузов М. : Высш. шк. , 1984. 231 с. ,
ил.
10 Черняев В. Н. Разработка изготовления интегральных микросхем и
микропроцессоров: Учебник для вузов. 2-е изд. , перераб. и доп. М. :
Радио и ассоциация, 1987. 464 с. : ил.
11 Матсон Э. А. Конструкции и разработка микросхем. Мн. : Выш. шк. ,1985. 207 с. , ил.
1 Введение
Интегральная электроника на сегодняшний день является одной из наиболее бурно развивающихся отраслей современной промышленности. Одной из составных