Сейчас рентгеновская физика переживает 2-ое появление благодаря творению предназначенных источников синхротронного излучения. Они генерируют электромагнитное изливание, владеющее неповторимыми качествами: постоянным диапазоном от инфракрасного по у-излучения; высочайшей ступенью натуральной коллимации; возможностью применения периодической последовательности ультракоротких рентгеновских импульсов продолжительностью в некоторое количество 10-ов пикосекунд; определенным состоянием поляризации; яркостью излучения, на 8-10 порядков превосходящей насыщенность имеющихся лабораторных рентгеновских трубок. Успехи рентгеновских дифракционных изучений, подкрепленные неповторимыми качествами синхротронного излучения, предоставляют базу именовать нынешнее время ренессансом рентгеновской физики.
Плюсом способов рентгеновского разбора веществ в этом плане сообразно сопоставлению с иными способами хим разбора является то, что фактически все эти сведения о строении вещества разрешено заполучить с поддержкой 1-го прибора — рентгеновских лучей, уча итог их взаимодействия с веществами. К истинному времени отлично изобретены и обретают обширное практическое использование такие способы опытных изучений веществ с поддержкой рентгеновских лучей, как эмиссионная, абсорбционная и флуоресцентная рентгеновская спектроскопия, дифракционные способы рентгеновского разбора, способы малоуглового рассеяния и т. п.
Полупроводниковые сверхрешетки представляют со¬бой новейший принципиальный класс модулированных кристалли¬ческих структур. Благодаря доп периоди¬ческому потенциалу, творимому чередованием 2-ух либо наиболее слоев определенного комплекта полупроводников, сверхрешетки обнаруживают разряд неповторимых электрон¬ных и оптических параметров. Имеющиеся способы эпитаксиального роста разрешают формировать сверхрешетки довольно высочайшего структурного достоинства. Тем не наименее в настоящей ситуации сверхрешетки безизбежно содержат разного типа недостатки. Благодаря неразру-шающему нраву и условной простоте измере¬ний микродифракция рентгеновских лучей является более действенным способом определения структурных пара¬метров сверхрешеток.
В настоящее время огромное интерес уделяется опи¬санию дифракции рентгеновских лучей на сверхрешетках с разными структурными недостатками.
Литература
1. Анализ поверхности способами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д. Бриггса, М. П. Сиха. - М. : Мир, 1987. - 600 с.
2. Афанасьев А. М. , Имамов Р. М. , Пашаев Э. М. Чуев М. А. и др. Рентгенодифракционные изучения пределов раздела слоев сверхрешетки AlAs-Ga1-xAlxAs. Кристаллография. 1998. Т. 43. № 1. С. 1-5.
3. Афанасьев А. М. , Имамов Р. М. , Пашаев Э. М. и др. Изучение высших слоев сверхрешеток способом стоячих рентгеновских волн. Кристаллография. 1993. Т. 38. Вып. 3. С. 58-62.
4. Вакуумная разработка: Лабораторный практикум сообразно курсу"Разработка электрического машиностроения" /Под. Ред. проф. Докт. Физ. -мат. Наук С. Г. Овчинникова. - Красноярск: САА, 1994. - 85 с.
5. Вудраф Д. , Делчар Т. Инновационные способы изучения поверхности. - М: Мир, 1989. - 564 с.
6. Еловиков С. С. Электронная спектроскопия поверхности и тонких пленок: Учеб. вспомоществование. - М. : Изд-во МГУ, 1992. - 94 с.
7. Зайцев А. А. , Карцев А. Т. , Пашаев Э. М. Индивидуальности формирования пределов раздела мультислойных изоморфных гетерокомпозиций на базе соединений AIIIBV. Поверхность. 2001. № 2. С. 52-56.
8. Зайцев А. А. , Мокеров В. Г. , Пашаев Э. М. и др. Изучение необыкновенностей формирования гетероструктур с квантовыми точками способами рентгеновской диагностики. Микроэлектроника. 2004. Т. 33. № 1. С. 35-41
9. Зенгуил Э. Физика поверхности. - М. : Мир, 1990. - 536 с.
10. Имамов Р. М. , Пашаев Э. М, Чуев М. А. и др. Заслуги высокоразрешающей рентгеновской дифракции в характеризации мультислойных гетероструктур. Поверхность. 1999. № 12. С. 11-20.
11. Колпаков, А. В. Микродифракция рентгеновских лучей в сверхрешетках: Учебное вспомоществование / А. В. Колпаков, Прудников. - М. : МГУ, 1992. - 128 с.
12. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры /Под ред. Л. Ченга, К. Плога. Ц М. : Мир, 1989. - 584 с.
13. Пашаев Э. М. , Якунин С. Н. , Зайцев А. А. и др. Характеризация селективно-легированных мультислойных гетероструктур на базе GaAs с квантовыми точками InAs. Микроэлектроника. 2002. Т. 31. № 5. C. 367-375.
14. С. И. Желудева, М. В. Ковальчук, Н. Н. Новикова и др. Новейшие способности способа стоячих рентгеновских волн для характеризации ультратонких слоев, элементов мультислойные структуры. Поверхность. 1999, № 1, с. 28-36.
15. Синхротронное изливание / Под ред. К. Кунца. М. : Мир, 1981. 600 c.
16. Уманский Я. С. , Скаков Ю. А. , Иванов Л. Н. , Расторгуев Л. Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М. : Металлургия, 1982. 631 с.
17. Фельдман Л. , Майер Д. Базы разбора поверхности и тонких пленок. - М: Мир, 1989. - 344 с.
18. Физиологические базы, аппаратура и способы электронной спектроскопии: Способ. указания к лабораторным работам / Сост. Паршин А. С. - Красноярск: САА, 1993. - 28 с.
19. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. Ц М. : Мир, 1989. - 240 с.
20. Чуев М. А. , А. А. Зайцев, Пашаев Э. М. Воздействие d-легированного слоя на создание косой дифракционного отображения. Поверхность. 1999. № 2. С. 110-113.
21. Эмиссионная электроника: Способ. указания к лабораторным работам / Сост. Паршин А. С. - Красноярск: САА, 1994. - 38 с.
Введение
Сегодня рентгеновская физика переживает второе рождение благодаря созданию специализированных источников синхротронного излучения. Они генерируют эл